12 月 25 日消息，英特尔是坚定的摩尔定律拥护者，尽管每代制程的技术指标都十分给力，但在进度上确实确实已经落后于台积电和三星电子。
目前英特尔 12 代、13 代处理器依然在使用 Intel 7 工艺(原 10nm Superfin)，而明年的 Meteor Lake 将采用新一代的Intel 4 工艺(原 7nm)。
Intel 4 将会是 Intel 首个基于 EUV 极紫外光技术的 FinFET 工艺，每瓦性能可提升 20%，而 Meteor Lake 计划于今年第四季度流片，2023 年出货。
Intel 4 之后是 Intel 3，是最后一代基于 FinFET 的技术，每瓦性能可提升 18%，此前计划 2023 年下半年开始生产。
再往后是 Intel 20A 工艺，届时英特尔也将会放弃 FinFET 技术，转向 GAA 路线，20A 将采用两大突破性技术 ——PowerVia、RibbonFET，前者是 Intel 独创的供电技术，后者是基于 GAA 技术实现的新突破，预计 2024 年问世。
2025 年及之后的技术还在开发中，命名为 Intel 18A，会继续改进 RibbonFET 技术，同时会用上 ASML 下一代的高 NA EUV 光刻机，但量产时间不定。
英特尔现宣布，其欧洲首台大容量 EUV 光刻机已经在爱尔兰 Fab 34 工厂开机并成功产生了 13.5nm 波长的光源。
今年早些时候，爱尔兰 Fab 34 工厂引入了一台 EUV 光刻机，这是 Intel4 技术的关键推动力。
英特尔表示，该系统由荷兰 ASML 制造，可以说是人类有史以来所建造出最复杂的机器。自新 EUV 光刻机交付以来，当地团队一直在进行安装和调试，并在本周迎来了一个重要时刻，Intel 正式启动了 EUV 光刻机，25KW 的激光器在一系列复杂的操作之后成功激发了 13.5nm 波长的 EUV 光源。
这是 Intel4 技术量产道路上的一个重要里程碑，也是欧洲首次使用大容量 EUV 光刻机。
据介绍，这套 EUV 系统由 10 万多个零件、3000 根电缆、4 万个螺栓和超过一英里的软管组成。在它到达莱克斯利普之后，当地团队一直在想办法产出第一束光，但这一过程非常复杂，因为它依赖于多种因素的错综复杂的技术，无论是光刻机本身还是整体设施系统的鉴定以及与公用事业的连接，都需要团队共同努力才能实现，甚至之前仅是建造厂商及准备设施就用了 18 个月。
在这个过程中，有着超过 100 名 ASML 员工与承包商、英特尔工程师和技术人员团队一起合作搭建和调配，有望在接下来的一段时间里为 Intel 4 技术做好量产准备。
关于Meteor Lake 的一系列内容，可参见IT之家此前报道。
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