该传感器基于低增益雪崩放大二极管(Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。经 ATLAS 合作组与 RD50 合作组测试，该传感器是目前抗辐照性能最好的 LGAD 硅超快传感器，达到 ATLAS 实验高颗粒度高时间分辨探测器项目(High Granularity Timing Detector，HGTD)的要求。
据介绍，该研究在原有 LGAD 硅超快传感器工艺上增加了碳掺杂工艺，降低了辐照引起硅传感器中硼掺杂的移除速率，提高了抗辐照性能。
该项目研发的硅超快传感器，超快读出芯片和大面积超快探测器集成等均是国际前沿的新技术。以高能所为主体的中国组将承担 HGTD 项目超过 1/3 的传感器研制，近一半的探测器模块研制，与全部的前端电路板研制。
IT之家了解到，该项目得到国家自然科学基金委员会、核探测与核电子学国家重点实验室等的支持。
该传感器基于低增益雪崩放大二极管(Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。经 ATLAS 合作组与 RD50 合作组测试，该传感器是目前抗辐照性能最好的 LGAD 硅超快传感器，达到 ATLAS 实验高颗粒度高时间分辨探测器项目(High Granularity Timing Detector，HGTD)的要求。
据介绍，该研究在原有 LGAD 硅超快传感器工艺上增加了碳掺杂工艺，降低了辐照引起硅传感器中硼掺杂的移除速率，提高了抗辐照性能。
该项目研发的硅超快传感器，超快读出芯片和大面积超快探测器集成等均是国际前沿的新技术。以高能所为主体的中国组将承担 HGTD 项目超过 1/3 的传感器研制，近一半的探测器模块研制，与全部的前端电路板研制。
IT之家了解到，该项目得到国家自然科学基金委员会、核探测与核电子学国家重点实验室等的支持。
