9 月 16 日消息，三星电子于去年开始将 DDR5 DRAM 商业化，这是在行业中首次应用 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺开发的 DRAM 技术。
分析机构 Tech Insights 表示，三星电子已经向芝奇(G.Skill)提供了基于高 K 金属栅极(HKMG)技术的 DDR5 DRAM 内存颗粒。
“我们已经确认三星电子的 HKMG DDR5 DRAM 应用于芝奇 Trident Z5 系列产品中”。该机构还预计 HKMG 将成为下一代 DRAM 行业的新标准。
TechInsights 一直在拆解市场上的各种 IT 产品，并分析设备中嵌入的芯片信息。通过这次拆解，TechInsights 揭示了三星电子 HKMG DDR5 DRAM 的量产产品，并放出了其内部电路照片。
IT之家了解到，三星电子于去年 3 月首次宣布 DDR5 DRAM 开发成功，在业界首次实现 HKMG 工艺大规模应用。据介绍，DDR5 数据处理速度是 DDR4 的两倍，起步就能到 4800MHz，而且容量也会得到提升，但延迟相对上升。
HKMG 技术传统上应用于逻辑半导体器件，与传统材料技术相比，HKMG 可明显改善漏电情况，三星方面曾表示该技术可减少内存功耗约 13%，对注重能源效率的数据中心等应用有重要意义，不过三星并未披露内存的实际商业化情况，只是表示，“我们计划在下一代中根据客户需求及时将内存商业化。
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