摩根士丹利(大摩)证券示警,由于需求疲软,将导致下半年存储器价格更快速下滑,影响范围包括三大内存。
三大内存为动态随机存取存储器(DRAM)、编码型闪存(NOR Flash)、储存型闪存(NAND Flash)。
报告指出,由于需求疲软,加上厂商与客户端的高库存水位,内存供应链将面临巨大的去库存压力,造成下半年价格将进一步下跌,且严重程度将大过市场预期。
对于中国台厂,大摩认为,除了旺宏、华邦电、南亚科、力积电等劣于大盘外,连原先相对看好的群联,评价转至中立。虽然群联在中国大陆的成长动能强劲,但由于高库存及 NAND 价格环境恶化,NAND 景气循环短期内不太可能快速复苏。
报告指出,业界认为,SK 与三星已停止生产 1Gb 及 2Gb 内存,并且降低 DDR3 的生产。不过,由于 CMOS 图像传感器的市场展望趋于疲弱,三星正在将 CIS 的产能用来生产 DDR3,使特殊型 DRAM 供给情况更加不妙。长期来说,SK 及三星不会放弃消费 DRAM 市场,而是移转到 DDR4 以着眼于 4Gb 产品。
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