3 月 18 日消息，SK 海力士(SK Hynix)近日宣布第八代 3D NAND 的详细信息，堆叠层数超过 300 层，预估将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。
IT之家从 SK 海力士官方公告中获悉，第 8 代 3D NAND 堆叠成熟超过 300 层，容量为 1Tb(128GB)，具有三级单元和超过 20Gb / mm^2 的位密度(bit density)。
该芯片的页容量(page size)为 16KB，拥有 4 个 planes，接口传输速度为 2400MT / s，最高吞吐量为 194MB/s(比第 7 代 238 层 3D NAND 快 18%)。
新 NAND 的位密度增加近一倍，意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率，也将降低 SK 海力士的成本，只是尚不清楚具体程度。
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