12 月 21 日消息，三星电子今日宣布，已成功开发出其首款采用 12 纳米(nm)级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM，并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。
三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。
三星数据显示，结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术，新款 DRAM拥有三星最高的 Die 密度(Die density)，可使晶圆生产率提高 20%。基于 DDR5 最新标准，三星 12nm 级 DRAM将解锁高达 7.2 千兆每秒(Gbps)的速度。
能效方面，与上一代三星 DRAM 产品相比，12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。
IT之家了解到，随着 2023 年新款 DRAM 量产，三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。
