业内人士透露，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。
据《电子时报》报道，上述人士表示，推出 192 层 3D NAND 闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。
消息人士称，因 128 层 3D NAND 闪存工艺良率已改善至令人满意的水平，长江存储也将月产量扩大至 10 万片晶圆。该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设，设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到 2023 年底，长江存储月产量可能超过 20 万片，全球市场份额有望达到 7-8%。
另一方面，美光科技推出了业内首款 232 层 3D NAND 闪存，预计将在 2023 年推出的新款 SSD 中使用。市场观察人士认为，三星电子预计将在 2022 年晚些时候加入 200 层以上 3D NAND 闪存的竞争。
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