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英诺赛科展示65W到240W GaN解决方案 让功率密度和效率进一步提升

2021-11-29 11:49:08来源:爱集微

11 月 26 日,在 2021(秋季)USB PD&Type-C 亚洲展上,英诺赛科展示了 All GaN 解决方案;与此同时,英诺赛科高级产品应用经理邹艳波发表了《高性能 All GaN 方案为 USB PD 3.1 应用加速》的主题演讲,现场解析更多 GaN 市场价值及应用新动向。

“USB PD 3.1 快充标准带来了更高的输出电压、更高的功率和功率密度。除了手机、平板、笔记本电脑外,还可以应用于显示器、相机、无人机、扫地机器人,电动工具以及电动自行车等多个场景。”邹艳波指出,“目前,英诺赛科的 GaN 器件已经实现全场景覆盖。”

不过,USB PD 3.1 协议的推出对电源设计也提出了新的挑战。而采用氮化镓(GaN)制成的功率器件凭借其出色的效率及高速切换频率的优势,能完美应对电源设计中的难题。

为此,英诺赛科推出了从 65W 到 240W 全系列 All GaN 解决方案,让功率密度和效率进一步提升。针对 All GaN 方案,英诺赛科推出了 150V GaN 芯片,与目前市面上最高标准的 150V Si MOS 相比,性能提升 2-3 倍。

据邹艳波介绍,英诺赛科 All GaN 方案有以下三种:65W1C,140W 28V/5A 和 240W 48V/5A。

其中,基于 150V GaN 性能,在原方案上升级的 65W All GaN 方案,功率密度可达 31W/in3。在 90V 交流电下效率为 93.4%,在 230V 下效率达 94.7%。

140W 方案可支持 28V/5A 输出,采用无桥 PFC+ACF 架构,功率密度达 30W/in3,大小与传统 65W 快充尺寸相当。

240W(PD3.1 48V5A)方案采用 Totem pole 无桥 PFC+LLC 设计,功率密度高达 41W/in3,效率达 96.5%,尺寸仅为一张银行卡大小。

邹艳波表示,在量产高低压氮化镓器件的基础上,英诺赛科也致力于做全链路高效、高频和高功率密度的方案,从前端电网侧,转到我们的充电器以及到手机内部,实现整个从端到端的解决方案,帮助大家提升能效。值得一提的是,在 IDM 模式助力下,英诺赛科每两代产品升级,可使单片晶圆的芯片数量增加 2 倍左右。

得益于丰富的 InnoGaN 系列产品线,英诺赛科在消费类电源市场高歌猛进,当前出货量已突破 4000 万颗,已经被联想、努比亚、魅族、ANKER、绿联、倍思、品胜、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic等多家知名品牌和厂商的上百款产品所采用,并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案。

对于未来发展,邹艳波表示,All GaN 方案在绿色能源、数据中心能源、智能电动、直流楼宇等四大领域都将有广泛的应用机会。他指出,“英诺赛科在‘GaN’一件有意义的事情。如果用氮化镓去提升整个供电电路 5% 的效能,以全球每年电能消耗 27 万亿千瓦时来计算,可以实现 10 亿吨的碳减排。”

关键词: 英诺赛科 功率

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