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SK海力士率先开发出HBM3 DRAM内存 采用多层堆叠工艺

2021-10-20 10:53:19来源:IT之家

10 月 20 日消息,今日韩国 SK 海力士宣布,成功开发出业界第一款 HBM3 DRAM 内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起,采用多层堆叠工艺,实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。

目前 HBM DRAM 已经发展到了第四代,HBM3 进一步提升了单片容量以及带宽。海力士表示,2020 年 7 月便开始量产 HBM2E 内存,为全球首批量产这种芯片的企业。

SK 海力士最新的 HBM3 芯片,单片最大容量可达 24GB,最高带宽达到了 819 GB/s,相比 HBM2E 提升了 78%。不仅如此,产品还支持片上 ECC 纠错,显著高了可靠

这款 HBM3 内存提供 16GB 和 24GB 两种类型,分别为 8 层和 12 层堆叠,每层容量 2GB。工程师将单片芯片的高度磨削至 30 微米厚,相当于 A4 纸的三分之一。然后,使用 TSV 硅通孔技术将这些芯片堆叠在一起,最终进行封装。

IT之家了解到,这款芯片可以用于高能 CPU,或者专用计算加速卡,可以显著提高人工智能、机器学运算的能,有助于科学研究、药物开发、气候变化分析等。

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