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我要投稿 今日Intel和Micron宣布，双方联合开发的34nm、32Gb多层单元（MLC）NAND闪存设备投入量产。该产品由双方成立的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies公司（IMFT）开发、生产，其工艺技术是目前市场上最先进的，实现了业界唯一的单片32Gb NAND芯片，而且芯片的大小适合采用标准的48引脚薄小外形封装（TSOP）。双方将34nm NAND闪存投入量产的时间比计划有所提前，预计其Lehi工厂一半以上的产能今年年底前将过渡到34nm工艺。
美光公司内存事业部副总裁Brian Shirley说，“在NAND工艺水平方面我们的进步十分迅速，现已占据34nm生产的领先地位。有了这块小巧的34nm、32Gb芯片，客户能够很方便地扩大一系列消费和计算产品的NAND存储容量。”
英特尔公司NAND解决方案事业部副总裁兼总经理Randy Wilhelm说，“IMFT的业绩再次超出了我们的预期。凭借在NAND制造方面如此明确的领先地位，我们能够为客户提供价值高、性能优、功耗低的NAND解决方案。”
这种34nm、32 Gb芯片是在300mm晶圆上生产的。芯片面积仅有172mm²，比拇指甲还小；该芯片将以高性价比，在数码相机、个人音乐播放器、数码摄像机等小尺寸应用产品中实现高密度的固态存储。此外，这款芯片还可用于实现性价比更优的固态驱动器，从而大幅提高这类驱动器现有的存储容量。
两家公司还计划于2009年初开始采用34nm工艺技术生产较低密度的多层单元（MLC）和单层单元（SLC）产品样件。
