电容是CPU供电电路的重要部件之一，目前普遍采用低ESR的固态电容。微星在DP45-8D上采用了4颗Hi-C电容。

    Hi-C电容与固态电容相比，哪一种更好？这要先说一说供电电容的一个重要参数—等效串联电阻（ESR）。

    等效串联电阻的英文全称是Equivalent Series Resistance，缩写为ESR。理想的电容自身不会有电阻，但实际上制造电容的材料有电阻。从外部看，这个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。

    ESR的损耗与通过的电流成正比，电流越大，损耗就越大。比如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么前者的电流是I=P/U=70W/3.3V=21.2A，后者的电流是I=P/U=70W/1.8V=38.9A。后者将近是前者的两倍。在ESR相同的情况下，后者的损耗就是前者的两倍。所以降低损耗就必须用ESR更低的电容。

    ESR的危害不仅仅是损耗，更重要的是“纹波电压”。没有任何波动的直流电压应该是一条水平直线，当有电压波动时，电压就变成波浪形，电压水平线上的波峰和波谷就是波纹电压。ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R（ESR）×I表示。公式中的V是纹波电压，R是电容的ESR，I是电流。从公式可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，纹波电压也会成倍提高，因此降低波纹电压就必须采用ESR值更低的电容。

    纹波电压的危害是导致CPU工作不稳定，容易出现判断“0”和“1”失误而死机。波纹电压对CPU的影响与CPU的工作电压相关。比如0.2V的纹波电压对于3.3V的CPU而言，0.2V纹波电压所占比例较小，不足以形成很大的影响，但是对于1.8V的CPU来说，所占的比例就足以造成CPU运算失误。所以，现在的CPU供电电路都采用低ESR的电容。

    普通液态电解电容的ESR在20毫欧以上，固态电容的ESR是5毫欧。Hi-C电容的ESR小于5毫欧。所以Hi-C电容优于固态电容。

    Hi-C 电容的英文全称是Highly-conductive polymerized Capacitor，中文叫做高导电聚合物电容。从上图看到是塑封帖片式的，有点像钽电解电容，其实不是。这种电容的阳极是烧结钽（或铝箔），阳极介质是氧化钽（或氧化铝），而阴极（电解质）是固态的、高导电聚合物。正由于电解质是高导电聚合物，使得它尺寸小而电容量大、ESR极低的特点。

    从上面的ESR值列表可以看出现在用于CPU供电电路最好的电容是Hi-c CAP电容。Hi-C CAP电容的第二个优点是在有浪涌电流通过时，具有自恢复的功能，因此功率损耗非常低。

    所以DP45-8D采用Hi-C电容是一举两得。