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第2代DrMOS是市场上电能转换效率最高的 MOSFET，上图是DrMOS厂商提供的DrMOS与分立MOS功耗和效率对比数据。在完全相同的条件下，输出35A电流时，第2代DrMOS的转换效率要比分立MOS增加5.5%，功率损耗要低3.8W。
采用DrMOS后不仅功耗会得到控制，温度也会有明显下降，比其它方案低将近 30%。具有易散热，易超频，噪声低的特点， 减少了散热器的负担，对于超频时经常由于温度过热而致使MOS管烧毁的问题也能得到很好的解决。上图是利用红外热像仪拍摄的“分立”MOS与DrMOS的热像图。中间是温度色谱，暖色越深温度越高，冷色越深温度越低。“分立”MOS的温度最高可达121℃，DrMOS的最大可达68.9℃，几乎差了一倍。
CPU的负载是动态变化的，当负载增大时，需要的电流就要增大，供电电路必须在一瞬间输出大的电流共给CPU，当CPU负载降低时也必须在一瞬间输出小的电流。这个输出电流变化的快慢就叫做瞬态响应时间。响应时间越短，CPU的工作越稳定。从上图可以看到电流从0A增大到46.32A的时间是100微秒，平均是2微秒/A。分立MOS的瞬态响应时间要长得多，是DrMOS的一倍多。
