在结束的Computex大会上，Intel展出了桌面用Intel Turbo Memory扩展卡，采用了PCI-Express x1接口，卡上拥有1颗Intel 29AE20AA0控制芯片(代号Diamond Lake)，并可支持四颗Intel NAND Flash颗粒，最大容量为2GB，预计将会于第三季内正式出货。

    据Intel指出，Turbo Memory技术是基于Microsoft新一代Windows Vista操作系统的ReadyBoost及ReadyDrive功能，能缩减操作系统及应用程序的启动时间，为硬盘机造成更大的缓冲容量，提升读写时间，并减少硬盘启动及转动次数，降低硬盘的耗电，进一步提升电池续航力。

    ReadyBoost是一项硬盘缓冲技术，能透过NAND内存装置加速系统及常用程序启动，虽然传统硬盘在读写速度上，相比一般使用USB 2.0接口的NAND内存装置优秀，但随机读取的延迟值却较高，一般来说可达8ms以上，而NAND内存装置在这方面却可降低至0.1ms，因此，Microsft将一些较零碎细小的档案，可由NAND内存装置中读取，而连续性及较大的档案则由硬盘中读取，以提升系统及常用软件启动效率。ReadyDrive功能是能加快读写速度、加速系统从休眠模式中恢复及减低硬盘机所需功耗，当档案需要写入硬盘时，系统会先把档案会暂时写进NAND Flash中，由于NAND Flash较硬盘有较高的写入速度，延续值亦较低，使得效率有所提升，此外，不少情况下，系统会读回刚写进硬盘的数据，因此存放于NAND Flashj的数据将会快速地被读取。

    据Intel指出，Intel Turbo Memory所采用的NAND Flash采用72奈米制程，预计下一代Turbo Memory 2.0将会采用50奈米制程的NAND Flash，预期最高可达至8GB容量。