早前Gigabyte曾向媒体发表示有关Gigabyte P35-DS3R，与Asus P5K在工作温度上的比较，变成为各大玩家们的话题，有部份玩家认为此仍内部测试、难辨真假，因此技嘉借Computex大会，邀请全球媒体见证，有关Gigabyte P35-DS3R与Asus P5K在工作温度上的现场实测。

    此次测验两者均采用Intel Pentium XE 840 (3.2GHz)，Kingston DDR2-1200 1GB x 2，Gigabyte GV-NX79T256DP-RH，为了减少风冷散热器影响测验结果，两者均改用了Gigabyte Aquagate水冷系统。测验平台将会进行3DMark 06 Loop测验，事前可让各媒体验证各平台的设定，以示公证。

    结果显示，Gigabyte P35-DS3R在Mosfet、Choke及Capacitor的工作温度，均比Asus P5K低20度以上，测试结果请看图二。

    Gigabyte指出，采用更优秀的Low Rds(on) MOSFET(Power Pack)、Ferrite Core Choke，及采用全日系固态电容，其供电模块效率能进一步提高，让工作温度有所下降，同时也让主板寿命。此外，P35-DS3R采用了6相PWM +18个MOSFET设计，效果比P5K只采用3相 PWM + 9个 MOSGET设计优秀并不意外，加入只采用一般的MOSFET、CHOKE及台系固态电容，也是P35-DS3R在工作温度上轻易干掉Asus P5K的主要原因。