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我要投稿美光科技今天宣布它们开始使用34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量与高性能，可以满足当今苛刻的便携式存储需求。
新设计的32Gb多层单元（MLC）NAND闪存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其16Gb的MLC NAND芯片仅仅占用84mm²的面积，以超小型封装提供高容量。美光现在提供使用34nm工艺的8Gb和16Gb的单层单元（SLC）NAND芯片。
此外，美光旗下的子公司Lexar Media，提供利用该技术的各种闪存卡和USB闪存盘，充分利用了美光的新型34纳米NAND技术。
16Gb和32Gb的NAND芯片都具有ONFI 2.1同步接口，可提供高达每秒200兆字节（MB/秒）的传输速度 。相比之下，传统的SLC NAND速度仅限40MB/s。有了这一改进的传输速度，该接口可提供今天的NAND器件所能提供的最快读写吞吐量。随着固态硬盘（SSD）趋向于采用SATA 6Gb/s接口，该高速NAND接口使制造商能够设计出可提供两倍于现有的SATA 3Gb/s解决方案吞吐量的产品。顾客可以期望这种高速接口设计到今后所有的高密度Micron NAND产品中。
